特許
J-GLOBAL ID:200903068901543410

窒化処理装置、および窒化処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-146778
公開番号(公開出願番号):特開2007-314845
出願日: 2006年05月26日
公開日(公表日): 2007年12月06日
要約:
【課題】短時間で加工材料に窒化膜を形成する窒化処理方法、およびその窒化処理方法を実行するための窒化処理装置の提供。【解決手段】窒化処理装置1では、加速電源22が、加速用陰極18および加速用陽極19にパルス電圧を印加することにより、パルス状の電子ビームを反応室49内に出力し、反応室49内に窒素プラズマを生成する。そして、窒化処理装置1では、プラズマ集束コイル24に電流を流して、窒素イオンや電子を試料台25に導くように磁界を発生し、さらに、正電圧と負電圧とが交互に切り替わるバイアス電圧を印加する。これにより、正電圧が印加されている期間には、試料台25に保持された加工材料70の表面に、電子が衝突し、負電圧が印加されている期間には、窒素イオンが衝突する。したがって、活性化状態を維持したまま、窒化膜が形成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
パルス状の電子ビームを出力する電子ビーム出力部と、 少なくとも窒素を含む気体が封入された反応室を有し、前記電子ビーム出力部から出力された電子ビームが照射される前記反応室内の位置に加工材料を保持する試料台が配置された反応部と、 を備え、 前記反応室内の窒素をプラズマ化して、前記試料台に保持された加工材料の表面に窒化膜を形成することを特徴とする窒化処理装置。
IPC (2件):
C23C 8/36 ,  H01J 37/32
FI (2件):
C23C8/36 ,  H01J37/32
Fターム (2件):
4K028BA02 ,  4K028BA21
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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