特許
J-GLOBAL ID：200903069035571480
光電気変換装置、反射防止膜及び電極基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-198845
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064848
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 入射する光を有効に利用できるため変換効率が高く、より小面積での利用が可能な光電気変換体を提供する。【構成】 導電性基体の表面上に、半導体層、反射防止層および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体、または透明基体の表面上に、反射防止層、半導体層、および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体において、前記反射防止層が、カドミウム(Cd)、インジウム(In)およびスズ(Sn)のうち少なくとも1つの元素を含む酸化物層Aと、亜鉛(Zn)またはチタン(Ti)の元素を含む酸化物層Bとを、交互に積層した構造体からなり、かつ前記反射防止層の表面を構成する結晶粒子の粒径が20nm以下である。前記反射防止層において、前記酸化物層Aの膜厚が10nm以上20nm以下である。前記反射防止層において、前記酸化物層Bの膜厚が5nm以上10nm以下である。
請求項（抜粋）：
導電性基体の表面上に、半導体層、反射防止層および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体、または透明基体の表面上に、反射防止層、半導体層、および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体において、前記反射防止層が、カドミウム(Cd)、インジウム(In)およびスズ(Sn)のうち少なくとも1つの元素を含む酸化物層Aと、亜鉛(Zn)またはチタン(Ti)の元素を含む酸化物層Bとを、交互に積層した構造体からなり、かつ前記反射防止層の表面を構成する結晶粒子の粒径が20nm以下であることを特徴とする光電気変換体。
FI (2件)：
H01L 31/04 F
, H01L 31/04 M
