特許

J-GLOBAL ID：200903069102851396

反射防止膜形成組成物及び反射防止膜の製造方法

発明者： 杉田 光 ,  田中 正人 ,  能村 仲篤 ,  杉江 紀彦 ,  下川 努 ,  橋口 裕一 ,  岡庭 求樹 ,  今野 圭二
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (3件)： 渡邉 一平 ,  木川 幸治 ,  樋口 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-319793
公開番号（公開出願番号）：特開2005-084621
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】解像度、精度等に優れたレジストパターンをもたらすことができる反射防止膜形成組成物及び反射防止膜の製造方法を提供する。【解決手段】式(1):[式中、A及びDは、水素又は炭化水素基を示し、B及びCは水素、炭化水素基、ハロゲン、ハロゲンで置換された炭化水素基、-(CH2)nCOOR1、-(CH2)nCOR2、-(CH2)nOCOR3、-(CH2)CN、-(CH2)nCONR4R5、-(CH2)nOR6、-(CH2)R7、-(CH2)nM、又はBとCから構成された-CO-O-CO-、もしくは-CO-NR8-CO-を示す。]で示される誘導体の少なくとも1種の開環重合体又は該誘導体と他の共重合性モノマーとの共重合体である重合体(a)、及び少なくとも1種の芳香環構造を有する重合体(b)を含有する反射防止膜形成組成物及びこれを用いた反射防止膜の製造方法を提供する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

式(1):

IPC (5件)：

G03F7/11 ,  C09D165/00 ,  C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (5件)：

G03F7/11 503 ,  C09D165/00 ,  C09K3/00 R ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 574

Fターム (18件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  4J038CB002 ,  4J038CC002 ,  4J038CE051 ,  4J038CF021 ,  4J038CG012 ,  4J038CG141 ,  4J038CG171 ,  4J038CM021 ,  4J038GA02 ,  4J038GA09 ,  4J038GA12 ,  4J038KA06 ,  4J038KA16 ,  4J038NA19 ,  5F046PA07

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開昭59-93448号公報
  
• 反射防止膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-325670   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 反射防止膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-220429   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 反射防止膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-344388   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 多層レジストプロセス用下層膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-097348   出願人：ジェイエスアール株式会社