特許
J-GLOBAL ID:200903069117305240
多孔性シリカ膜、それを有する積層体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-185552
公開番号(公開出願番号):特開2005-015310
出願日: 2003年06月27日
公開日(公表日): 2005年01月20日
要約:
【課題】可視光域での波長依存性の少ない低反射性、積層工程の容易性、防汚性、機械強度に優れた多孔性シリカ膜、及びそれを用いた光学材料、半導体材料に好適な積層体を提供する。【解決手段】膜厚方向に対して空隙率の連続的な変化を有し、かつ十点表面粗さRz=100nm以下であることを特徴とする多孔性シリカ膜。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
膜厚方向に対して空隙率の連続的な変化を有し、かつ十点表面粗さRz=100nm以下であることを特徴とする多孔性シリカ膜。
IPC (4件):
C01B33/12
, B32B5/18
, B32B9/00
, H01L21/312
FI (4件):
C01B33/12 C
, B32B5/18
, B32B9/00 A
, H01L21/312 C
Fターム (43件):
4F100AA20A
, 4F100AA20B
, 4F100AG00
, 4F100AK01
, 4F100AT00C
, 4F100BA03
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100DJ00A
, 4F100GB41
, 4F100JA14B
, 4F100JG10
, 4F100JK14A
, 4F100JK15A
, 4F100JN01C
, 4F100JN30
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 4G072AA28
, 4G072BB09
, 4G072BB15
, 4G072HH30
, 4G072LL11
, 4G072MM31
, 4G072NN21
, 4G072QQ20
, 4G072RR05
, 4G072TT08
, 4G072TT30
, 4G072UU01
, 4G072UU30
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH03
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BD07
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ03
引用特許:
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