特許
J-GLOBAL ID:200903069117305240

多孔性シリカ膜、それを有する積層体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-185552
公開番号(公開出願番号):特開2005-015310
出願日: 2003年06月27日
公開日(公表日): 2005年01月20日
要約:
【課題】可視光域での波長依存性の少ない低反射性、積層工程の容易性、防汚性、機械強度に優れた多孔性シリカ膜、及びそれを用いた光学材料、半導体材料に好適な積層体を提供する。【解決手段】膜厚方向に対して空隙率の連続的な変化を有し、かつ十点表面粗さRz=100nm以下であることを特徴とする多孔性シリカ膜。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
膜厚方向に対して空隙率の連続的な変化を有し、かつ十点表面粗さRz=100nm以下であることを特徴とする多孔性シリカ膜。
IPC (4件):
C01B33/12 ,  B32B5/18 ,  B32B9/00 ,  H01L21/312
FI (4件):
C01B33/12 C ,  B32B5/18 ,  B32B9/00 A ,  H01L21/312 C
Fターム (43件):
4F100AA20A ,  4F100AA20B ,  4F100AG00 ,  4F100AK01 ,  4F100AT00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DJ00A ,  4F100GB41 ,  4F100JA14B ,  4F100JG10 ,  4F100JK14A ,  4F100JK15A ,  4F100JN01C ,  4F100JN30 ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4G072AA28 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072HH30 ,  4G072LL11 ,  4G072MM31 ,  4G072NN21 ,  4G072QQ20 ,  4G072RR05 ,  4G072TT08 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ03
引用特許:
審査官引用 (8件)
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