半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-193748
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186304
出願日： 2005年07月01日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】半導体基板の一面に形成されたアルミニウム電極に対して接続用の金属電極を形成してなる半導体装置において、従来よりも、低コストで容易に且つ確実に金属電極をパターニングできるようにする。【解決手段】半導体基板1の一面1a上にアルミニウム電極11、保護膜12を順次形成し、保護膜12に開口部12aを形成し、開口部12aから臨むアルミニウム電極11の表面11a上に金属電極13を形成してなる半導体装置において、保護膜12の上面に対して開口部12aから臨むアルミニウム電極11の表面11aが引っ込むように段差が形成され、金属電極13は、アルミニウム電極11および保護膜12の上に形成された膜を切削、研削もしくは研磨によりパターニングすることで、開口部12aから臨むアルミニウム電極11の表面11aおよび保護膜12の側面12bのみに形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)の一面(1a)上に下地電極(11)を形成し、前記下地電極(11)の上に保護膜(12)を形成し、前記保護膜(12)に開口部(12a)を形成するとともに、前記開口部(12a)から臨む前記下地電極(11)の表面(11a)上に、接続用の金属電極(13)を形成してなる半導体装置において、前記保護膜(12)の上面に対して前記開口部(12a)から臨む前記下地電極(11)の表面(11a)が引っ込むように段差が形成されており、前記金属電極(13)は、前記下地電極(11)および前記保護膜(12)の上に形成された膜を機械的に削る機械的除去加工によりパターニングすることによって、前記開口部(12a)から臨む前記下地電極(11)の表面(11a)および前記段差を形成する前記保護膜(12)の側面(12b)のみに形成されたものとなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/92 602H , H01L21/92 602P

引用特許：

出願人引用 (3件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-130489 出願人：株式会社デンソー
膜の形成方法および電極あるいは配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143380 出願人：株式会社デンソー
金属電極パターン形成方法および金属膜剥離除去用接着シート
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-376017 出願人：日東電工株式会社, 株式会社デンソー

審査官引用 (4件)

半田バンプ接続素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-354589 出願人：株式会社村田製作所
高密度エリア・アレイ(areaarray)はんだマイクロ接合(microjoining)相互接続構造およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-560962 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-104038 出願人：株式会社ディスコ

全件表示

前のページに戻る