特許
J-GLOBAL ID：200903047190750118
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179987
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074242
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】従来の半導体装置の製造方法では、平坦化が不十分であり、表面段差が大きく、多層配線を行う場合に、配線の断線が生じやすく、歩留まり低下の原因となっている。また、リソグラフィの焦点深度不足による配線の微細化を困難にしていた。また、プロセス技術の複雑化、工程数の増加という問題があった。さらに、研磨による平坦化法では、半導体装置を形成するウェハの寸法が大きくなるにつれ使用する研磨機が大きくなり、研磨砥粒や研磨パッド等の補材の使用量が多くなるほか、研磨パッドの交換に多大の労力を要する。更に、加工中の研磨パッドの劣化により加工面の平坦度が劣化したり、研磨能率が安定しないという欠点があった。又、ウェハがうねっているために、砥石による加工では、配線を切断してしまうという問題があった。【解決手段】本発明においては、半導体装置のうねりを矯正し、半導体装置を配線上面あるいは層間膜上面を基準に平坦に固定した後、切削あるいは研削加工により、半導体装置を基準面と平行に加工する。
請求項（抜粋）：
半導体装置表面のうねりを半導体装置表面もしくは配線上面を基準に矯正し、半導体装置表面もしくは配線上面を基準に工具と半導体装置表面もしくは配線上面との間に所定量の切り込みを与えることにより層間絶縁膜を平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 621
H01L 21/304 622 K
, H01L 21/304 621 D
