特許
J-GLOBAL ID：200903069185132205
窒化物半導体素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396945
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197534
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 再成長界面に形成された酸化膜を効率的に除去でき、量産性に優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供し、半導体層の精度が向上し、良好な性能を安定に実現できる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 図1(c)(d)に示すように、MOVPE等の成膜装置で、InGaN等の活性層1、GaN等の内クラッド層2a、AlGaN等のガスエッチング停止層5、GaN等の外クラッド層2b、AlInGaN等の電流狭窄層3を順次積層した後、エッチング装置に投入し、マスクを用いて電流狭窄層3および外クラッド層2bの一部を除去し、溝Sを形成する。再び試料を成膜装置へ移す際に大気等に露出すると、試料の露出面に酸化膜4が形成される。次に成膜装置で試料を高温に維持した状態で水素ガスなどを供給してガスエッチングを行い、表面の酸化膜4を除去し、ガスエッチング停止層5で停止する。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体層にエッチングを施す工程と、エッチングされた窒化物半導体層を酸素含有雰囲気に露出する工程と、窒化物半導体層の表面に形成された酸化膜をガスエッチングで除去する工程と、酸化膜が除去された表面に窒化物半導体層を再成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
Fターム (12件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045BB16
, 5F045HA03
, 5F045HA23
