特許

J-GLOBAL ID：200903069201918834

トグルメモリセルの読み出し回路及び方法

発明者： ガーニ、ブラッドリー ジェイ. ,  アンドレ、トーマス ダブリュ. ,  ナハス、ジョセフ ジェイ. ,  サブラマニアン、チトラ ケイ.
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-517535
公開番号（公開出願番号）：特表2006-515946
出願日： 2003年05月07日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

MRAMトグル方式メモリセルの読み出しは、まず初期状態を表す第1信号をセンスアンプ(1300,1500)に供給することにより行なわれる。セルの抵抗は、セルの磁化自由層の磁気分極の方向を変えることにより一時的に変化する。MRAMセルの抵抗の変化に応じて生成される第2信号がセンスアンプ(1300,1500)に供給される。第1信号を第2信号と比較してMRAMセルの状態を判定する。

請求項（抜粋）：

第1状態及び第2状態のうちの一つの状態であるメモリセルの初期状態を検出する方法であって、 前記メモリセルの状態を前記初期状態から前記第1状態と前記第2状態との間の中間の状態に変化させること、 前記変化させる工程を使用して前記メモリセルの前記初期状態を判定することを備える、方法。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (4件)：

G11C11/15 150 ,  G11C11/15 140 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (2件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気ランダムアクセスメモリ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-142361   出願人：日本電気株式会社
• 磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-182672   出願人：日本電気株式会社
• MRAM半導体メモリーシステムの駆動方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-581557   出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
• 薄膜磁性体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-181364   出願人：株式会社ルネサステクノロジ