特許
J-GLOBAL ID：200903008240891995
MRAM半導体メモリーシステムの駆動方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-581557
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530244
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
本発明は、記憶された情報を読み出すために、TMRセル(TMR1,TMR2,・・・)において磁気を逆方向に変更し、それによって瞬間的に変更される電流をもとの読み出し信号と比較する、MRAM半導体記憶システムの駆動方法に関するものである。そのために、TMRメモリーセルにおける情報を消去しないにもかかわらず、TMRメモリーセル自体を基準として使用できる。つまり、再書き込みする必要はない。本発明は、複数のTMRセル(TMR1,・・・,TMR4)が選択トランジスタ(TR1)に並列接続されており、かつ、メモリーセルに電気的に接続されていない書き込み線(WL1,WL2)が配置されている、MRAMメモリーシステムに使用されることが好ましい。
請求項（抜粋）：
メモリーセル配列において、一方の端部がビット線(BL)に接続されており、他方の端部がワード線(WL)に連結されている、複数のTMRメモリーセル(TMR)を備えたMRAM半導体メモリーシステムの駆動方法において、
情報を読み出す期間、TMRメモリーセル(TMR)に、電流パルスを用いて瞬間的に逆方向に変換した磁気の影響を与え、その結果、変更された電流信号をもとの電流信号と比較することを特徴とする、駆動方法。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 150
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
