特許
J-GLOBAL ID：200903082078198011
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182672
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008367
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】磁気抵抗素子特性のウェハ面内でのばらつきを防止して動作マージンを広くすることができ、磁気抵抗素子と直列に接続された配線およびトランジスタの抵抗による電圧降下がもたらす、読み出し回路の検出感度の低下を防ぎ、高精度かつ高速な読み出しが可能なMRAMの提供。【解決手段】複数のワード線118〜121が接続されるXデコーダと、Yデコーダと電源とMOSFET106〜109とコンデンサ110〜113とを有するY周辺回路部と、単位記憶セルにMOSFET122〜137と磁気抵抗素子138〜153とが直列に接続されたセルアレイ部とからなり、Xデコーダの基準電圧と単位記憶セルのMOSFETの閾値特性により与えられる所定の降下電圧とによって磁気抵抗素子に印加する電圧が所定の小さい値に制御され、コンデンサに蓄積された電荷がセンス線、単位記憶セルMOSFET及び磁気抵抗素子に順次流れることにより生じるコンデンサの電圧変化によって磁気抵抗素子のデータの読み出しを確実に行う。
請求項（抜粋）：
複数のセンス線及び複数のワード線を有し、前記センス線と前記ワード線との各々の交点には電圧降下素子の機能を備えたセル選択スイッチと磁気抵抗素子とが直列に接続された単位記憶セルが配設され、該単位記憶セルが2次元アレイ状に配列されてセルアレイを構成する磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記センス線の各々に容量手段を備え、前記容量手段に蓄積された電荷が前記センス線、前記セル選択スイッチ及び前記磁気抵抗素子を順次介して放電し、該放電により生じる前記容量手段の電圧変化によって前記磁気抵抗素子の磁気保持状態が判別されることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA01
, 5F083GA30
, 5F083LA03
, 5F083LA10
