特許
J-GLOBAL ID：200903069228488904
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-237029
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068269
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 銅配線層30と、銅配線層30に比べ酸素による腐食の少ないアルミ配線層32を銅配線層30の上に形成した積層構造の配線層33を形成する。したがって、配線層33が銅配線層30を有するため、エレクトロマイグレーションによる断線が生じ難く、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性を向上させることができる。また、配線層33形成後に配線層33が露出した状態で酸素を含む雰囲気中における処理を行なう場合でも、配線層33が腐食されにくい。すなわち、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線層33を得ることができる。
請求項（抜粋）：
配線層を形成する工程と、形成された配線層が露出している状態において銅腐食性物質を含む雰囲気中で処理を行なう工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、配線層を形成する工程において、銅を含む第1の導電体層を形成するとともに、第1の導電体層に比べ銅腐食性物質を含む雰囲気中における腐食の少ない第2の導電体層を第1の導電体層の上に形成することにより、第1の導電体層と、第1の導電体層を実質的に覆う第2の導電体層と、を備えた積層構造の配線層を形成すること、を特徴とする、半導体装置の製造方法。
Fターム (14件)：
5F033AA02
, 5F033AA04
, 5F033AA15
, 5F033AA66
, 5F033AA73
, 5F033BA13
, 5F033BA15
, 5F033BA25
, 5F033BA43
, 5F033BA44
, 5F033BA45
, 5F033EA02
, 5F033EA28
, 5F033EA32
