特許

J-GLOBAL ID：200903069265291371

III-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 石田 真也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140945
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332293
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 従来のIII-V族窒化物系半導体発光素子において、活性層を成長する前に成長させる膜の平坦性および結晶性の良いものが得られず、発光素子の特性に大きく影響を与えていた。【解決手段】 上記問題を解決するために、本発明のIII-V族窒化物半導体発光素子は、Mg、Znを含有しない膜厚1μm以上のIII-V族窒化物層上に、MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層を有し、前記MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層上に発光素子構造を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Mg、Znを含有しない膜厚1μm以上のIII-V族窒化物層上に、MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層を有し、前記MgもしくはZnドープIII-V族窒化物層上に発光素子構造を有することを特徴とするIII-V族窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673

Fターム (10件)：

5F041AA41 ,  5F041CA34 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA62 ,  5F041CA67 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB13 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037290   出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
• 窒化物系半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037990   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-189886   出願人：日本電気株式会社
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝