特許
J-GLOBAL ID:200903069284126489
放射線検出装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山下 穣平
, 志村 博
, 永井 道雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-242724
公開番号(公開出願番号):特開2006-017742
出願日: 2005年08月24日
公開日(公表日): 2006年01月19日
要約:
【課題】 CsIの結晶性を向上させるとともに、デバイス特性を安定化させる。【解決手段】 光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板上と、複数の画素を被覆してセンサー基板上に配置された保護層14と、複数の前記画素上において保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層15と、平坦化層の表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層16と、少なくともシンチレーター層と平坦化層とを被覆してセンサー基板及びシンチレーター層上に配置された光反射膜17と、を有する。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板と、
複数の前記画素を被覆して前記センサー基板上に配置された保護層と、
複数の前記画素上において前記保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層と、
前記平坦化層の前記表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を該光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層と、
少なくとも前記シンチレーター層と前記平坦化層とを被覆して前記センサー基板及び前記シンチレーター層上に配置された光反射膜と、
を有することを特徴とする放射線検出装置。
IPC (3件):
G01T 1/20
, H01L 31/09
, H01L 27/14
FI (6件):
G01T1/20 B
, G01T1/20 E
, G01T1/20 G
, H01L31/00 A
, H01L27/14 K
, H01L27/14 D
Fターム (38件):
2G088EE03
, 2G088FF02
, 2G088GG16
, 2G088GG19
, 2G088GG20
, 2G088JJ05
, 2G088JJ10
, 2G088JJ37
, 4M118AA08
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA05
, 4M118CA32
, 4M118CA40
, 4M118CB06
, 4M118CB11
, 4M118EA01
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118GA10
, 4M118GD15
, 4M118HA27
, 5F088AA03
, 5F088AB05
, 5F088BA01
, 5F088BB07
, 5F088CB06
, 5F088CB20
, 5F088EA04
, 5F088EA08
, 5F088EA14
, 5F088GA02
, 5F088HA09
, 5F088HA12
, 5F088HA15
, 5F088KA08
, 5F088LA08
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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