特許
J-GLOBAL ID：200903069312008748

オニウム塩誘導体の製造方法及び新規オニウム塩誘導体

発明者：
冨田 恭一

冨田 恭一 について

, 
石井 信治

石井 信治 について


出願人/特許権者：
東洋合成工業株式会社

東洋合成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361970
公開番号（公開出願番号）：特開2002-167340
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅型レジストに用いられる酸発生剤等として有用なオニウム塩誘導体を高収率で合成できるオニウム塩誘導体の製造方法及び新規オニウム塩誘導体を提供する。【解決手段】 ハロゲン陰イオン、又はカルボキシレート陰イオンを有するオニウム塩誘導体に、スルホン酸エステル誘導体又はリン酸エステル誘導体を反応させることによりオニウムスルホン酸誘導体又はオニウムリン酸誘導体を高収率で得る。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)〜(4)で表されるオニウム塩誘導体と、下記一般式(5)〜(7)で表される化合物とを反応させることにより下記一般式(8)〜(19)で表されるオニウム塩誘導体を得ることを特徴とするオニウム塩誘導体の製造方法。【化1】(R1、R2、及びR3はそれぞれ独立に、置換されてもよい炭素数25以下の、アルキル基、シクロアルキル基、パーフルオロアルキル基、芳香族有機基、アラルキル基又はフェナシル基を表し、R1とR3及びR2とR5はの少なくとも一方は一緒になって2価の有機基を表してもよい。R4は、炭素数20以下の2価の有機基を表す。Q-はハロゲン陰イオン、又は炭素数が10以下のカルボシキレート陰イオンを表す。)【化2】(R6は、置換されていてもよい炭素数25以下の、アルキル基、シクロアルキル基、パーフルオロアルキル基、芳香族有機基、アラルキル基を表す。R7は、置換されてもよい炭素数10以下の、アルキル基、シクロアルキル基、パーフルオロアルキル基、アラルキル基を表す。R8、R9は、それぞれ独立に、置換されてもよい炭素数が10以下の、アルキル基、シクロアルキル基、パーフルオロアルキル基、アラルキル基を表す。)【化3】【化4】【化5】
IPC (10件)：
C07C 17/00 ,  C07C 25/02 ,  C07C305/06 ,  C07C309/06 ,  C07C309/25 ,  C07C309/30 ,  C07C309/43 ,  C07C381/12 ,  C07F 9/11 ,  G03F 7/004 503
FI (10件)：
C07C 17/00 ,  C07C 25/02 ,  C07C305/06 ,  C07C309/06 ,  C07C309/25 ,  C07C309/30 ,  C07C309/43 ,  C07C381/12 ,  C07F 9/11 ,  G03F 7/004 503 A
Fターム (20件)：
2H025AB16 ,  2H025BE07 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB40 ,  4H006AB76 ,  4H006AB81 ,  4H006AC90 ,  4H006BC31 ,  4H006BD20 ,  4H006BD70 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AB40 ,  4H050AB76 ,  4H050AB81 ,  4H050AC90 ,  4H050BC31 ,  4H050BD20 ,  4H050BD70
引用特許：
審査官引用 (7件)
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