特許
J-GLOBAL ID：200903069352961286

半導体レーザ装置

発明者：
杉山 卓史

杉山 卓史 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  田村 啓 ,  玄番 佐奈恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-273725
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105125
出願日： 2007年10月22日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】波長変換部材を備えた半導体レーザ装置であって、波長変換部材による散乱光の悪影響を抑え、且つキャップ内の密封性に優れたものを提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置1は、半導体レーザ素子2と、該半導体レーザ素子2を覆うキャップ10とを備えており、前記キャップ10は、半導体レーザ素子2のレーザ光Lが通過する開口部12を有し、半導体レーザ装置1は、前記開口部12をふさぐガラス部材20と、該ガラス部材20の上に位置し前記レーザ光Lを吸収して異なる波長の蛍光を発光する蛍光体を含有した波長変換部材30と、前記ガラス部材20と前記波長変換部材30との間に配置された反射膜40とを有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を覆うキャップとを備えた半導体レーザ装置であって、 前記キャップは、半導体レーザ素子のレーザ光が通過する開口部を有し、 前記開口部をふさぐガラス部材と、該ガラス部材の上に位置し前記レーザ光を吸収して 異なる波長の光を発光する波長変換部材と、を有し、前記ガラス部材と前記波長変換部材との間に反射膜を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
H01S 5/022
FI (1件)：
H01S5/022
Fターム (14件)：
5F173MA10 ,  5F173MB01 ,  5F173MC05 ,  5F173MC17 ,  5F173ME03 ,  5F173ME22 ,  5F173ME32 ,  5F173ME33 ,  5F173ME64 ,  5F173ME86 ,  5F173MF03 ,  5F173MF05 ,  5F173MF12 ,  5F173MF28
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
  • 特開昭59-050590
  • 半導体レーザー装置用キャップ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-317995   出願人：新光電気工業株式会社
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-379454   出願人：シャープ株式会社
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