特許
J-GLOBAL ID：200903069370204077
積層体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-052953
公開番号（公開出願番号）：特開2009-190960
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】 紫外発光素子などの半導体素子を形成するために好適に使用できるAlNなどのIII族窒化物単結晶自立基板であって、結晶面の曲率半径が大きなAl系III族窒化物単結晶自立基板を提供する。 【解決手段】 サファイアなどの不活性ガス中800°Cにおいて実質的に分解しない無機物質であって、800〜1600°Cで水素ガスなどの還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、厚さ3〜200nmのAl系III族窒化物単結晶薄膜層を形成した後に、アンモニアガスを含む還元性ガス雰囲気中800〜1600°Cで加熱処理することにより、得られた積層基板のベース基板とAl系III族窒化物単結晶薄膜層との界面に空隙を形成し、次いで上記Al系III族窒化物単結晶薄膜層上にIII族窒化物単結晶厚膜を形成し、これを分離することにより自立基板を得る。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
不活性ガス中800°Cにおいて実質的に分解しない無機物質であって、800〜1600°Cで還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板上に、単結晶Al系III族窒化物、又は単結晶Al系III族窒化物と非晶質Al系III族窒化物との混合物からなる厚さ3〜200nmのAl系III族窒化物薄膜層が形成された積層構造を含む積層体であって、該積層体の前記ベース基板と前記Al系III族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を有することを特徴とする積層体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
4G077AA02
, 4G077AB03
, 4G077AB04
, 4G077BE13
, 4G077DB04
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077EH06
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TA08
, 4G077TB02
, 4G077TC06
, 4G077TC14
, 4G077TC17
, 4G077TJ03
, 4G077TK01
, 4G077TK11
