特許
J-GLOBAL ID：200903069382305251

プラズマ反応器のエッチング速度ドリフトを低減するための温度制御されたホットエッジリングアセンブリ

発明者：
フィッシャー, アンドレアス

フィッシャー, アンドレアス について

, 
ローベンハルト, ピーター

ローベンハルト, ピーター について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-545785
公開番号（公開出願番号）：特表2007-515081
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
温度制御されたホットエッジリングアセンブリは、プラズマ反応室内の基板支持体を取り囲むように構成されている。このアセンブリは、導電性の下部リング、セラミックの中間リング及び上部リングを含む。中間リングは、下部リングの上に横たわり、下部リングを介してRF電極に取り付けられるように構成されている。上部リングは、中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する。
請求項（抜粋）：
プラズマ反応室内で半導体基板支持体を取り囲むように構成された、温度調整されたホットエッジリングアセンブリであって、 導電性の下部リングと、 セラミックの中間リングであって、前記下部リングの上に横たわり、前記下部リングを介してRF電極に取り付けられるように構成された中間リングと、 上部リングであって、前記中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する上部リングと、 を備えることを特徴とするアセンブリ。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/683
FI (2件)：
H01L21/302 101G ,  H01L21/68 N
Fターム (17件)：
5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB29 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA50 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 特開平4-279044
  • 被処理体の載置装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323208   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-016811   出願人：東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (8件)
  • 特開平4-279044
  • 特開平4-279044
  • 被処理体の載置装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323208   出願人：東京エレクトロン株式会社
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