特許
J-GLOBAL ID：200903069490878888

磁気抵抗素子

発明者：
深見 俊輔

深見 俊輔 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319723
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135503
出願日： 2006年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】優れた平滑性を有する磁化自由層を備えたトップピン型の磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】本発明によれば、トップピン型の磁気抵抗素子30が提供される。その磁気抵抗素子30は、下地層32と、下地層32上に形成された磁化自由層33と、磁化自由層33上に非磁性層34を介して形成された磁化固定層35とを備える。下地層32は、結晶性の金属材料で形成される。下地層32の結晶は、複数種類の結晶配向成分を有する。その複数種類の結晶配向成分のうち2種類以上が、磁化自由層33に接触する。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
下地層と、 前記下地層上に形成され、磁化の向きが反転可能な磁化自由層と、 前記磁化自由層上に非磁性層を介して形成され、磁化の向きが固定された磁化固定層と を備え、 前記下地層は、結晶性の金属材料で形成され、 前記下地層の結晶は、複数種類の結晶配向成分を有し、 前記複数種類の結晶配向成分のうち2種類以上が前記磁化自由層に接触する 磁気抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L43/10 ,  H01L27/10 447
Fターム (18件)：
4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  5F092AA02 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BE05 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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