特許
J-GLOBAL ID：200903087182858440

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

発明者：
水口 徹也

水口 徹也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-010762
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203701
出願日： 2004年01月19日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 熱履歴に関わらず、磁気特性を向上することが可能な構成の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 一対の強磁性層5,7が中間層6を間に挟んで形成され、強磁性層5,7のうち、少なくとも一方の強磁性層7が、外部磁界に対して自由に磁化の向きが変わる構成であり、一方の強磁性層7に接する下地層3が、Ta層31及びRu層32の積層膜であり、かつこの積層膜では、一方の強磁性層7に接してTa層31が形成されている構成の磁気抵抗効果素子1を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一対の強磁性層が中間層を間に挟んで形成され、 前記強磁性層のうち、少なくとも一方の強磁性層が、外部磁界に対して自由に磁化の向きが変わる構成であり、 前記一方の強磁性層に接する下地層或いは保護層が、Ta層及びRu層の積層膜であり、かつ前記積層膜では、前記一方の強磁性層に接してTa層が形成されている ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L43/08 ,  H01F10/13 ,  H01F10/30 ,  H01L27/105
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 H ,  H01F10/13 ,  H01F10/30 ,  H01L27/10 447
Fターム (15件)：
5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA16 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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