特許

J-GLOBAL ID：200903069528124858

研磨用スラリー

発明者： 板井 康行 ,  松村 義之 ,  森岡 義隆
出願人/特許権者： ロデール・ニッタ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-289887
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100672
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 スクラッチ(傷)やヘイズ(曇り)をウエハ表面に付けずることなく、研磨レートを上げることができる研磨用スラリーを提供すること。【解決手段】 非真球状コロイダルシリカと、研磨促進剤と、絶縁膜研磨抑制剤と、を含有する研磨用スラリー。非真球状コロイダルシリカは、ゾルゲル法によって製造されたものである。非真球状コロイダルシリカが0.5〜50重量%、研磨促進剤が0.1〜25重量%、絶縁膜研磨抑制剤が0.1〜25重量%含有されている。研磨促進剤がヨウ素酸化合物、絶縁膜研磨抑制剤がフタル酸水素化合物である。

請求項（抜粋）：

非真球状コロイダルシリカと、研磨促進剤と、絶縁膜研磨抑制剤と、を含有する研磨用スラリー。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H

Fターム (5件)：

3C058AA09 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309210   出願人：ロデール・ニッタ株式会社
• シリコンウェハーの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-008560   出願人：エム・イー・エム・シー株式会社
• 半導体ウェーハーの研磨方法及び研磨剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-311504   出願人：日産化学工業株式会社
• 繭型コロイダルシリカの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227066   出願人：磯守