III族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶基板および半導体デバイス

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171452
公開番号（公開出願番号）：特開2005-350291
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】転位密度が低いIII族窒化物結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】種結晶10を準備する工程と、液相法により種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程とを含み、種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。上記製造方法により得られた種結晶10の主面10hに平行な面の転位密度が5×106個/cm2以下のIII族窒化物結晶。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

種結晶を準備する工程と、液相法により前記種結晶に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含み、前記種結晶に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程において、前記種結晶の主面に平行な方向の結晶成長速度が、前記種結晶の主面に垂直な方向の結晶成長速度より大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L33/00

FI (4件)：

C30B29/38 D , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L33/00 C

Fターム (22件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077CC04 , 4G077CD05 , 4G077DA18 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED02 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077MB12 , 4G077SC01 , 4G077TA01 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA63 , 5F041CA64

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3139445号公報

審査官引用 (3件)

窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-276911 出願人：昭和電工株式会社
窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-320131 出願人：日亜化学工業株式会社
13族窒化物結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-195510 出願人：日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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