特許
J-GLOBAL ID：200903069632722945

真空部品用材料、真空部品、真空装置、真空部品用材料の製造方法、真空部品の処理方法及び真空装置の処理方法

発明者：
渡辺 文夫

渡辺 文夫 について


出願人/特許権者：
有限会社真空実験室

有限会社真空実験室 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-165775
公開番号（公開出願番号）：特開2006-009038
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 10-12Pa(H2)・m/sより低い真空部品からのガス放出率を達成することが可能な真空部品用材料の製造方法を提供すること。【解決手段】 Cuと添加元素の合金の周囲を減圧する工程と、合金を昇温し、合金中から水素を排出するとともに、添加元素を合金の表面近傍に集めて析出する工程と、合金の温度を、水素を排出するため昇温した合金の温度以下で、室温以上の範囲に保ち、酸素単体、窒素単体、酸素+窒素の混合ガス、オゾン(O3)、酸素含有化合物、窒素含有化合物、或いは酸素窒素含有化合物に、又はこれらを組み合わせたものに、又はそれらのプラズマに合金を曝し、析出した添加元素と反応させて添加元素の酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜のうち何れか一を合金の表層に形成する工程とを有する。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
Cuと、添加元素であるBe、B、Mg、Al、Si、Ti及びVのうち少なくとも何れか一との合金からなる基材の表面に前記添加元素の酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜のうち何れか一を被覆したことを特徴とする真空部品用材料。
IPC (6件)：
C23C 8/12 ,  C22C 9/00 ,  C23C 8/20 ,  C23C 8/24 ,  C23C 8/28 ,  C23C 8/36
FI (6件)：
C23C8/12 ,  C22C9/00 ,  C23C8/20 ,  C23C8/24 ,  C23C8/28 ,  C23C8/36
Fターム (7件)：
4K028AA01 ,  4K028AA02 ,  4K028AB02 ,  4K028BA02 ,  4K028BA03 ,  4K028BA05 ,  4K028BA13
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 真空部品及び真空容器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-032699   出願人：株式会社ムサシノエンジニアリング, 助川電気工業株式会社
審査官引用 (15件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM