炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078634
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243900
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】本発明は、コンタクト層形成後の高温の熱処理後であってもオーミックコンタクトを有し、かつCNTを形成するための触媒として十分に機能する薄膜の形成条件と、触媒層の表面積を広くすることによってCNTの本数を増加させる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による炭化珪素半導体装置およびその製造方法は、炭化珪素半導体装置の製造方法であって、(a)SiC1表面に不純物を導入する工程と、(b)不純物の導入後にSiC1表面をアニールすることによってSiC1の表面に凹凸部4を形成する工程と、(c)SiC1の凹凸部4の表面を下地として用いて、その上方にCNT7を形成する工程とを備え、コンタクト電極層5の表面積を広くすることによってCNT7の本数を増加させることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 (a)炭化珪素半導体表面に不純物を導入する工程と、 (b)前記不純物の導入後に前記炭化珪素半導体表面をアニールすることによって前記炭化珪素半導体の表面に凹凸を形成する工程と、 (c)前記炭化珪素半導体の凹凸の表面を下地として用いて、その上方にカーボンナノチューブを形成する工程と、を備えることを特徴とする、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (7件)：

H01L21/28 301Z , H01L29/78 652T , H01L29/78 658A , H01L29/78 658Z , H01L29/78 658F , H01L29/78 652M , H01L21/88 M

Fターム (32件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD24 , 4M104DD26 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 5F033GG01 , 5F033HH07 , 5F033JJ00 , 5F033JJ07 , 5F033JJ16 , 5F033KK01 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033RR04 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033XX07

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置、及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-263486 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
炭素元素線状構造体を用いた電子デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-194898 出願人：富士通株式会社
柱状カーボン構造物の選択成長方法及び電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-074254 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (5件)

電子装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-295115 出願人：株式会社東芝
半導体基板、半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-301293 出願人：松下電器産業株式会社
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-073708 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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