特許
J-GLOBAL ID：200903069692347477

半導体素子のオーミックコンタクト構造

発明者：
星 真一

星 真一 について

, 
伊藤 正紀

伊藤 正紀 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-357589
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165446
出願日： 2005年12月12日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】GaN-HEMTのオーミックリセスコンタクト構造において、信頼性を向上させ、オーミックコンタクト抵抗Rcを低減する。【解決手段】第1主面から半導体本体内へと第1主電極領域102内及び第2主電極領域106内を貫いて2次元電子ガス層よりも深い位置にまでそれぞれ個別に設けられている第1オーミック電極104及び第2オーミック電極108とを具え、第1オーミック電極の第1側面及びこの第1側面と対向する第2オーミック電極の第2側面は、これら第1及び第2オーミック電極の厚み方向に厚みに渡って延在する凹部によって形成された凹凸面である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaN-HEMTのオーミックコンタクト構造において、 半導体本体と、 該半導体本体の第1主面から該半導体本体内へと互いに離間して設けられている第1主電極領域及び第2主電極領域と、 前記半導体本体内に該第1主電極領域及び該第2主電極領域のそれぞれを貫きかつこれら両主電極領域間に渡って形成されている2次元電子ガス層と、 前記第1主面から前記半導体本体内へと前記第1主電極領域内及び前記第2主電極領域内を貫いて前記2次元電子ガス層よりも深い位置にまでそれぞれ個別に設けられている第1オーミック電極及び第2オーミック電極とを具え、 前記第1オーミック電極の第1側面及び該第1側面と対向する前記第2オーミック電極の第2側面は、これら第1及び第2オーミック電極の厚み方向に該厚みに渡って延在する凹部によって形成された凹凸面である ことを特徴とする半導体素子のオーミックコンタクト構造。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (3件)：
H01L29/80 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J
Fターム (31件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR11 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (5件)
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