記憶素子及び記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田芳末 , 磯山弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-330809
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140412
出願日： 2004年11月15日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】情報の記録・消去を容易に安定して行うことができる構成の記憶素子を提供する。【解決手段】第1の電極2と第2の電極6との間に記憶層4が挟まれて構成され、記憶層内もしくは記憶層4と接している層3に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれ、記憶素子10に電圧を印加することにより、記憶素子10の抵抗が変化して情報の記録が行われ、記憶素子10の抵抗値が低い記録状態から記憶素子10の抵抗値が高い消去状態に変化させる消去過程において、記憶素子10に印加される電圧の増大による、この消去過程終了時の記憶素子10の抵抗値の変動が最大10倍以内である特性を有する記憶素子10を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と第2の電極との間に、記憶層が挟まれて構成され、前記記憶層内、もしくは前記記憶層と接する層に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれ、前記記憶素子に電圧を印加することにより、前記記憶素子の抵抗が変化して情報の記録が行われ、前記記憶素子の抵抗値が高い状態を消去状態と定義し、抵抗値が低い状態を記録状態と定義したとき、前記記録状態から前記消去状態に変化させる過程において、前記記憶素子に印加される電圧の増大による、前記過程の終了時の前記記憶素子の抵抗値の変動が、最大10倍以内である特性を有することを特徴とする記憶素子。

IPC (2件)：

H01L 27/10 , G11C 13/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A

Fターム (7件)：

5F083FZ10 , 5F083JA19 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083JA57 , 5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (1件)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-599033 出願人：アリゾナボードオブリージェンツ

審査官引用 (5件)

記憶素子及び記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-182775 出願人：ソニー株式会社
プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-599033 出願人：アリゾナボードオブリージェンツ
プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-523669 出願人：アクソンテクノロジーズコーポレイション, アリゾナボードオブリージェンツ

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