特許
J-GLOBAL ID：200903069770391844
窒化物半導体チップ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131447
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329684
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 割れや欠けの発生を抑制しつつ、高い歩留りでチップサイズを小さくすることができる窒化物半導体チップ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1の主面上に窒化物半導体素子構造が形成されたウエハーを、チップに分離する窒化物半導体チップの製造方法であって、ウエハーを補強板2の主面上に接着剤3または両面粘着シートで貼り付けた後、スクライブのみでチップに分割し、補強板からチップを剥がすことにより、チップに分離する。
請求項（抜粋）：
基板の主面上に窒化物半導体素子構造が形成されたウェハーをチップに分離する窒化物半導体チップの製造方法であって、前記ウェハーを補強板の主面上に接着剤,貼着剤,粘着剤のいずれか一つでで貼り付ける工程と、前記ウェハーをスクライブでチップに分割する工程と、前記補強板から前記チップを剥がす工程とを有することを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 M
5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA47
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA82
, 5F041CA92
