半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019390
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223786
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】平坦性の良好な、六方晶窒化物系半導体レーザ素子の共振器ミラーを得る。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子にあっては、基板と、前記基板上に形成された六方晶窒化物系半導体からなる積層体と、前記積層体中に形成されたストライプ状光導波路を備え、前記ストライプ状光導波路と素子端面とで光共振器を構成し、前記素子端面の前記基板の裏面側には、少なくともストライプ状光導波路の下方に、端面に平行に溝入れ部を有し、前記積層体中には、ストライプ状光導波路の下方に空洞を有し、前記空洞の側方には、前記空洞上方から連なった窒化物系半導体を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された六方晶窒化物系半導体からなる積層体と、前記積層体中に形成されたストライプ状光導波路を備え、前記ストライプ状光導波路と素子端面とで光共振器を構成する半導体レーザ素子であって、前記素子端面の前記基板の裏面側には、少なくとも前記ストライプ状光導波路の下方に、前記素子端面に平行に溝入れ部を有し、前記積層体中には、前記ストライプ状光導波路の下方に空洞を有し、前記空洞の側方には、前記空洞上方から連なった窒化物系半導体を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 , H01L 21/301

FI (2件)：

H01S 3/18 673 , H01L 21/78 U

Fターム (10件)：

5F073AA13 , 5F073AA20 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073DA32 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319067 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-126989 出願人：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-106058 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩

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