光電子材料及び応用素子、並びに光電子材料の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-064783
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257368
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】光電子材料及び応用素子、並びに光電子材料の製造方法に関するもので、大気中での発光特性の経時変化等がない、安定した特性の得られる光電子材料の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】多孔質シリコン12からなる光電子材料で、多孔質シリコン12の表面を窒化してシリコン窒化膜13が形成されていることを特徴とする光電子材料であり、これにより、多孔質シリコン12の表面が酸化されることなく、安定した発光を得ることができる。

請求項（抜粋）：

多孔質シリコンからなる光電子材料であって、前記多孔質シリコンの表面が窒化されていることを特徴とする光電子材料。

IPC (7件)：

H01L 31/0248 , B23K 26/00 , B23K 26/12 , H01L 21/203 , H01L 31/10 , H05B 33/14 , B23K101:40

FI (7件)：

B23K 26/00 H , B23K 26/12 , H01L 21/203 Z , H05B 33/14 Z , B23K101:40 , H01L 31/08 H , H01L 31/10 Z

Fターム (27件)：

3K007AB11 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4E068AH03 , 4E068CH05 , 4E068CJ01 , 5F049MA20 , 5F049MB02 , 5F049NA07 , 5F049PA11 , 5F049PA20 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F088AB02 , 5F088BA10 , 5F088BA11 , 5F088CB11 , 5F088DA05 , 5F088FA05 , 5F088GA04 , 5F103AA01 , 5F103BB23 , 5F103DD27 , 5F103GG10 , 5F103LL01 , 5F103LL04 , 5F103NN05

引用特許：

審査官引用 (5件)

発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-092465 出願人：新日本製鐵株式会社
ポーラス・シリコンおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077695 出願人：理化学研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-178278 出願人：株式会社東芝

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