相補型MOS半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂上正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-243211
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158198
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】低コストで短工期でありかつ低電圧動作が可能で低消費電力および高駆動能力を有し、かつ高速動作のパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置の実現を可能とする構造を提供することを目的とする。【解決手段】 CMOSのゲート電極の導電型をP型単極の多結晶シリコンないしはP型ポリサイド構造とする。PMOSは表面チャネル型であるため短チャネル化や低しきい値電圧化が可能であり、また埋込みチャネル型であるNMOSもしきい値制御用の不純物として拡散係数の小さい砒素を使えるため極めて浅い埋込みチャネルとなり短チャネル化や低しきい値電圧化が容易となり、さらに分圧回路やCR回路に用いられる抵抗体をゲート電極とは異なる他の多結晶シリコンで構成することより高精度な分圧回路有するため、高速なパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置の実現を特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜と前記絶縁膜上に形成された半導体薄膜層から構成されるSOI基板の前記半導体薄膜層上に形成された、N型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタと抵抗体で構成されている相補型MOS半導体装置において、前記N型MOSトタンジスタのゲート電極の極性がP型であり、前記P型MOSトタンジスタのゲート電極の極性がP型であり、前記抵抗体は前記N型MOSトランジスタのP型ゲート電極および前記P型MOSトランジスタのP型ゲート電極とは異なる材料で構成されていることを特徴とするSOI相補型MOS半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8234 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 27/08 331 , H01L 27/092 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 27/06 102 A , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 617 M , H01L 27/08 321 D , H01L 27/04 P

Fターム (61件)：

5F038AR07 , 5F038AR09 , 5F038BB04 , 5F038BB05 , 5F038DF01 , 5F038DF03 , 5F038DF12 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB08 , 5F048AC02 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB16 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BC07 , 5F048BC11 , 5F048BC16 , 5F048BC20 , 5F048BD05 , 5F048BE03 , 5F048BG01 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110FF12 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110NN71 , 5F110QQ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-108450 出願人：株式会社リコー

審査官引用 (13件)

相補型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-338340 出願人：ソニー株式会社
特開平2-058370
特開平4-084428

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