半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-075570
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251066
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜と半導体基板との間に良質の界面層を形成することができ、ゲート絶縁膜に高誘電体材料を用いたことによるメリットを十分に生かす。【解決手段】高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMIS型半導体装置の製造方法において、第1導電型の半導体基板10上にゲート絶縁膜13とすべき高誘電体膜13aを形成する工程と、基板10を、水素ガス及び酸素ガスが含まれる雰囲気中で熱処理することにより、基板10と誘電体膜13aとの間に界面層13bを形成する工程と、界面層13bを形成した後に、誘電体膜13a上にゲート電極14とすべき導電体膜を形成する工程と、導電体膜をゲートパターンに加工することによりゲート電極14を形成する工程と、ゲート電極14をマスクに基板10に第2導電型不純物をドープすることにより、ソース・ドレイン領域18,19を形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜とすべき高誘電体膜を形成する工程と、前記基板を、水素ガス及び酸素ガスが含まれる雰囲気中で熱処理することにより、前記基板と誘電体膜との間に界面層を形成する工程と、前記界面層を形成した後に、前記誘電体膜上にゲート電極とすべき導電体膜を形成する工程と、前記導電体膜をゲートパターンに加工することによりゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクに前記基板に第2導電型不純物をドープすることにより、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 P , H01L21/318 M

Fターム (49件)：

5F058BD04 , 5F058BD18 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F140AA05 , 5F140AA13 , 5F140AA24 , 5F140AA37 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD06 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF58 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG35 , 5F140BG38 , 5F140BG46 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ23 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK35 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CF05

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-255454 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-115135 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-286356

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