特許
J-GLOBAL ID：200903022523760326
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-385349
公開番号（公開出願番号）：特開2004-197219
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】Ti膜を成膜した後、その上にTiN膜を成膜する場合に、Ti膜が低温成膜であってもこれらの間に膜剥がれ等が生じない成膜方法を提供すること。【解決手段】処理チャンバー51内で被処理基板Wを載置台52に載置し、載置台52に対向して設けられたガス吐出部材60からTi化合物ガスと還元ガスとを吐出させるとともに、処理チャンバー51内にプラズマを生成させて被処理基板にプラズマCVDによりTi膜を形成するにあたり、ガス吐出部材60はヒーター96により加熱され、載置台52はヒーター55により加熱されて、互いに独立して加熱可能となっており、ヒーター55により載置台52を加熱して被処理基板Wの温度を300〜700°Cに制御し、ヒーター96によりガス吐出部材60を加熱してその温度を450°C以上に制御する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1の処理チャンバー内で被処理基板の表面の自然酸化膜をプラズマにより除去する工程と、その後第2の処理チャンバー内で被処理基板にCVDによりTi膜を成膜する工程とを具備し、
前記Ti膜を成膜する工程は、Ti化合物ガスおよび還元ガスを導入しつつ第1のプラズマを生成する第1ステップと、Ti化合物ガスを停止し前記還元ガスを導入しつつ第2のプラズマを生成する第2ステップとを交互に複数回繰り返すことを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C16/06
, H01L21/302 102
4K030AA03
, 4K030AA17
, 4K030BA18
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA04
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030JA10
, 4K030JA18
, 4K030KA23
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F004AA14
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DB03
, 5F004DB15
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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