薄膜の改質方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：橋本剛 , 鵜澤英久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078976
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243926
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】400°Cよりも低温のプロセスで薄膜を改質する。【解決手段】CVD工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉2にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記薄膜の欠陥サイトでの紫外光の吸収による局所加熱を利用する。前記紫外光を照射する光源6はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。前記紫外光を照射する光源6は210nmより長波長の光を照射する。ボンベ3からは酸化性ガスが、ボンベ4からは還元性ガスが、ボンベ5からは不活性ガスが個別に供される雰囲気のもと前記薄膜を薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記酸化性ガスとしてオゾンガスが供される。前記還元性ガスとして希釈水素ガスが供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

CVD工程を経た基板の薄膜に紫外光を照射して前記薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質することを特徴とする薄膜の改質方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , C23C 16/56 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L21/316 P , C23C16/56 , H01L21/205 , H01L21/31 E , H01L21/316 C , H01L29/78 617V , H01L29/78 627F

Fターム (54件)：

4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA46 , 4K030BA47 , 4K030BB03 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F045AA20 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE01 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EK12 , 5F045EK17 , 5F045EK19 , 5F045EK29 , 5F045HA16 , 5F045HA18 , 5F045HA23 , 5F045HA25 , 5F058BA20 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF54 , 5F058BF62 , 5F058BF78 , 5F058BH03 , 5F058BH05 , 5F058BH17 , 5F058BJ01 , 5F110AA17 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110FF01 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG44 , 5F110GG58

引用特許：

出願人引用 (1件)

電子商取引制御システム、制御方法及び記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-282217 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (5件)

薄膜状半導体装置の作製方法。
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-191934 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-176126
ジルコニウム酸化膜を有する半導体素子のキャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-323070 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

全件表示

前のページに戻る