特許
J-GLOBAL ID：200903070064435578
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-170774
公開番号（公開出願番号）：特開2004-015030
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】本発明は、多数の被検査電極を検査する場合であっても、適切な押圧力で電極パッドの損傷を抑制しつつ確実にコンタクトさせる工程を提供して、半導体製造工程における製造歩留まりを向上させ、製造コストを低減し、結果的に安価で高信頼性を有する半導体装置を供給しうる製造方法を提供することにある。【解決手段】前記課題を解決するために、半導体装置の製造過程において、半導体装置の不良検査に用いる基板には、梁と、前記梁に被検査半導体装置の検査電極(電極パッド)に接触する突起状のプローブと、前記基板の前記プローブが形成される側の反対側に前記プローブと導電性部材を介して電気的に接続される二次電極とを備えた構造で、前記プローブには多数の突起を有する層が形成された検査装置を前記半導体装置の検査電極に接触させることにより行われる検査工程を含むことにより、半導体装置の不良検査を行うことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法であって、ウエハの一主面に半導体装置を形成する形成工程、前記ウエハに形成された半導体装置の不良を検査する検査工程とを有し、前記検査工程に適用する検査用の基板は、前記基板に形成された梁と、前記梁に被検査半導体装置の検査電極に接触する突起状のプローブと、前記基板の前記プローブが形成される側の反対側に前記プローブと導電性部材を介して電気的に接続される二次電極とを備え、前記プローブには多数の突起を有する層が形成された検査装置を前記半導体装置の検査電極に接触させることにより行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/66
, G01R1/073
, G01R31/26
H01L21/66 B
, G01R1/073 F
, G01R31/26 J
2G003AA10
, 2G003AG04
, 2G003AG12
, 2G003AH07
, 2G011AA04
, 2G011AB08
, 2G011AC14
, 2G011AE03
, 2G011AF07
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DD03
, 4M106DD23
