特許
J-GLOBAL ID：200903070147119929

窒化シリコン膜の成膜方法

発明者：
嶋津 正

嶋津 正 について

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西森 年彦

西森 年彦 について

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井田 俊雄

井田 俊雄 について

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上満 憲二郎

上満 憲二郎 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (4件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-306306
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079254
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 低温な処理温度であっても、良好な膜質の窒化シリコン膜を成膜する。【解決手段】 ICP型のプラズマCVD装置を用いて、シラン(SiH4)ガスと窒素(N2)ガスを原料ガスとして基板6上に窒化シリコン(SiN)膜を成膜する。このとき、シラン(SiH4)ガスの供給流量に対して、窒素(N2)ガスの供給流量を10倍以上とし、ガスの総供給量に対する高周波パワー(RFパワー:成膜室に入射する電磁波のエネルギー)を3W/sccm以上とし、基板温度を50°C〜300°Cとする。また、成膜圧力を10mTorr〜50mTorrとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘導結合プラズマ型のプラズマCVD装置を用いて、成膜室内の基板上に窒化シリコン膜を成膜する成膜方法であって、 前記成膜室に供給する原料ガスとしてシランガスと窒素ガスを用い、 シランガスの供給流量に対して、窒素ガスの供給流量を10倍以上とし、ガスの総供給量に対する高周波パワーを3W/sccm以上とし、基板温度を50°C〜300°Cとしたことを特徴とする窒化シリコン膜の成膜方法。
IPC (3件)：
H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  H01L21/31
FI (3件)：
H01L21/318 B ,  C23C16/34 ,  H01L21/31 C
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030FA04 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045BB11 ,  5F045CB04 ,  5F045DP04 ,  5F045EE12 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19 ,  5F058BA04 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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