特許
J-GLOBAL ID：200903064461842171

シリコン酸化膜の成膜方法および装置

発明者：
本郷 俊明

本郷 俊明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-114355
公開番号（公開出願番号）：特開平11-293470
出願日： 1998年04月10日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVDによりシリコン酸化膜を成膜する際に、熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるシリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】 処理室13内にシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを導入し、プラズマCVDにより基板G上にシリコン酸化膜を成膜し、その後シリコン含有ガスを停止して、水素ガスを処理室13内に導入して水素ガス含有プラズマを生成し、そのプラズマ中で基板Gを処理する。
請求項（抜粋）：
処理室内にシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを導入してこれらガスのプラズマを生成し、基板にシリコン酸化膜を堆積して成膜するシリコン酸化膜の成膜方法において、前記シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を具備することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。
IPC (5件)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H05H 1/46 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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