レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-165553
公開番号（公開出願番号）：特開2005-344009
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【解決手段】有機テルル化合物又は有機セレン化合物を重合開始剤として用いて、重合性モノマーをラジカル重合することによって得られたレジスト材料用高分子化合物。【効果】本発明に係る有機テルル化合物又は有機セレン化合物を重合開始剤として用い、ラジカル重合を行うことによって得られる高分子化合物は、その分子量分布が従来の製造方法で得られるものよりも狭く、また共重合がリビング的に進行し、得られる共重合体はランダム性により優れ、これら高分子化合物をベース樹脂としてレジスト材料に配合することにより、レジスト膜の溶解コントラスト、解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが少ない特性を示すものであり、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機テルル化合物又は有機セレン化合物を重合開始剤として用いて、重合性モノマーをラジカル重合することによって得られたレジスト材料用高分子化合物。

IPC (6件)：

C08F4/00 , C08F212/14 , C08F220/10 , G03F7/033 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (6件)：

C08F4/00 , C08F212/14 , C08F220/10 , G03F7/033 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (37件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J015EA02 , 4J100AB02Q , 4J100AB07P , 4J100AL02P , 4J100AL03R , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA11R , 4J100BA15R , 4J100BB17Q , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC53R , 4J100CA05 , 4J100FA08 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (5件)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
特開平3-275149号公報

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審査官引用 (8件)

高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-090203 出願人：信越化学工業株式会社
共重合物およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-402441 出願人：東邦化学工業株式会社
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274195 出願人：東京応化工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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