特許
J-GLOBAL ID：200903070190565053
加熱体及びこれを用いた半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240472
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067740
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 エッチングガスやプラズマに侵され難く、パーティクルやコンタミネーションを発生することがないと共に、寿命が長く、強度の高い加熱体とこの加熱体を配備した半導体製造装置を提供する。【解決手段】 少なくとも反応室内に半導体シリコンウエーハを配置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体製造装置に用いられる、半導体シリコンウエーハを加熱するための基材と導電層からなる加熱体において、該基材の材質をシリコンとした加熱体および該加熱体を用いた半導体製造装置。
請求項（抜粋）：
少なくとも反応室内に半導体シリコンウエーハを配置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体製造装置に用いられる、半導体シリコンウエーハを加熱するための基材と導電層からなる加熱体において、該基材の材質がシリコンであることを特徴とする加熱体。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H05B 3/14
H01L 21/302 B
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H05B 3/14 D
