特許
J-GLOBAL ID：200903070309495830
マルチレベル共面相互接続構造
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047144
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284454
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 バックエンド・オブ・ライン構造の剛性を改善する。【解決手段】 集積回路チップ上のマルチレベル銅ダマシン相互接続構造は、集積回路上にあって、かなり低い誘電率とかなり高い弾性係数とを有する誘電体材料によって分離された複数のライン導体を含む。第1の平坦な相互接続層14上の第2の平坦な相互接続層18は、第1の平坦な相互接続層14の誘電体材料より高い弾性係数を有する誘電体膜26と、誘電体膜26を通る導電バイア28とからなる。導電バイア28は、選択的にライン導体22に接触している。第2の平坦な相互接続層18上の第3の平坦な相互接続層20は、誘電体材料によって分離され、導電バイアに選択的に接触している複数のライン導体22を有する。
請求項（抜粋）：
集積回路チップ上のマルチレベル共面相互接続構造であって、かなり低い誘電率とかなり低い弾性係数とを有する誘電体材料によって分離された複数の相互接続導体を有する平坦なライン層と、前記ライン層の誘電体材料よりも高い弾性係数を有する誘電体膜と、前記誘電体膜を通る導電バイアとからなる平坦なバイア層とを備え、前記ライン層およびバイア層の一方は、集積回路基板上にあり、第1の層を構成し、前記ライン層およびバイア層の他方は、前記第1の層上にあり、前記導電バイアが、前記ライン層の導体に選択的に接触している、マルチレベル共面相互接続構造。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3205
H01L 21/90 S
, H01L 21/88 M
, H01L 21/90 A
, H01L 21/90 K
