特許
J-GLOBAL ID：200903070310552090
箔で内張りされた坩堝を有するSiC単結晶昇華成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-509583
公開番号（公開出願番号）：特表2003-504296
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2003年02月04日
要約：
【要約】箔で内張りされた坩堝によるSiC単結晶の昇華成長装置を提供する。SiC単結晶(32)を製造する装置は、坩堝の内部帯域(11)を有するこの帯域内に固体のSiC(30)から成る貯蔵物の貯蔵領域(12)と、SiC単結晶(32)をSiC種結晶(31)上に成長させる結晶領域(13)が存在する。坩堝(10)の外側に加熱装置(16)が設けてある。この坩堝(10)は、坩堝の内部帯域(11)に面する側にタンタル、タングステン、ニオブ、モリブデン、レニウム、イリジウム、ルテニウム、ハフニウム又はジルコンから成る箔(17)の内張りを持つ。その結果、この坩堝の密閉が行われ、SiC気相の腐食性の成分が坩堝壁と反応するのを防止できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つのSiC単結晶(32)を製造する装置において、少なくとも1つの坩堝(10)を有し、その際a)坩堝の内部帯域(11)が、 al)固体のSiC(30)から成る貯蔵物を容れるための少なくとも1つの 貯蔵領域(12)と、 a2)SiC単結晶(32)をその上に成長させる少なくとも1つの種結晶 (31)を容れるための少なくとも1つの結晶領域(13) とを有しており、その際 a3)この坩堝(10)が、タンタル、タングステン、ニオブ、モリブデン、 レニウム、イリジウム、ルテニウム、ハフニウム及びジルコンの群からの 1つの材料又はこの群の少なくとも1つの元素を含む材料から成る箔(1 7)で、坩堝の内部帯域(11)に面する側面を内張りされており、かつb)この坩堝(10)の外側に配置された加熱装置(16)を有することを特徴とする少なくとも1つのSiC単結晶の製造装置。
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EG18
, 4G077EG25
, 4G077SA01
, 4G077SA11
