特許
J-GLOBAL ID：200903070353925974

透明導電性膜の製造方法

発明者：
木内 正人

木内 正人 について

, 
劉 昌

劉 昌 について

, 
松谷 貴臣

松谷 貴臣 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180762
公開番号（公開出願番号）：特開2004-030932
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】加熱しなくても基体上に透明導電性膜を製造できる方法を提供する。【解決手段】インジウム-スズ酸化物(ITO)、酸化スズまたは酸化亜鉛を含む透明導電性膜を基体上に製造する方法であって、酸素の分子状正イオンを基体に照射しながら、透明導電性膜を基体上に蒸着することを特徴とする透明導電性膜の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
インジウム-スズ酸化物、酸化スズまたは酸化亜鉛を含む透明導電性膜を基体上に製造する方法であって、酸素の分子状正イオンを基体に照射しながら、透明導電性膜を基体上に蒸着することを特徴とする透明導電性膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285
FI (5件)：
H01B13/00 503B ,  C23C14/08 D ,  C23C14/48 D ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 P
Fターム (22件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029CA06 ,  4K029CA09 ,  4K029DB21 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104HH12 ,  4M104HH16 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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