薄膜形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029845
公開番号（公開出願番号）：特開平9-202974
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】薄膜形成装置において、反応室内部におけるプラズマ密度が不均一になるため、被薄膜形成対象物上に形成される膜厚分布が不均一になると共に膜質が低下する問題があつた。【解決手段】反応室(12)のガス導入口(14A)と反応室(12)の内部に設置された電極(18)との間に絶縁性でなるガス拡散部材(20)を配置し、ガス導入口(14A)を通じて導入される反応ガス(15)をガス拡散部材(20)で拡散させて電極(18)側に流出させる。これにより、反応ガス(15)を反応室(12)内部にほぼ均一に拡散させることができるので、被薄膜形成対象物(16)上に形成される膜厚をほぼ均一にし得ると共に膜質を向上させることができ、かくして信頼性を向上し得る薄膜形成装置(10)を実現することができる。

請求項（抜粋）：

反応室の内部にガス導入口を通じて薄膜材料でなる反応ガスを導入し、上記反応室の内部に設置された電極と、上記電極に対向する位置に配置された被薄膜形成対象物との間に電圧を印加して上記反応ガスをプラズマ化させて上記被薄膜形成対象物上に供給することにより、上記被薄膜形成対象物上に上記反応ガスに応じた薄膜を形成する薄膜形成装置において、上記ガス導入口及び上記電極間に配置され、上記ガス導入口を通じて導入される上記反応ガスを拡散させて上記電極側に流出させる絶縁性でなるガス拡散部材を具えることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-319415 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
CVD薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-010401 出願人：大阪瓦斯株式会社
プラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-013981 出願人：東京エレクトロン株式会社

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