フォトレジスト用オーバーコーティング組成物及びこれを利用したフォトレジストパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：荒船博司 , 荒船良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-413341
公開番号（公開出願番号）：特開2004-212967
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】フォトレジストパターンの変化、レジスト厚さの減少及びスリミング現象を発生させることなくフォトレジストパターンの線幅を縮小させる。【解決手段】本発明は、フォトレジスト用オーバーコーティング組成物及びフォトレジストパターンを形成する方法に関し、より詳しくは一般的なリソグラフィー工程により形成されたフォトレジストパターンの全面に酸を含有するフォトレジスト用オーバーコーティング組成物を塗布し、酸をフォトレジストパターンの内部に拡散させた後、酸が拡散した部分のフォトレジストをアルカリ溶液で現像して除去することにより、ポジティブフォトレジストパターンの線幅を縮小させることができ、後続のSEMを利用した線幅測定工程時にネガティブフォトレジストパターン線幅のスリミング現象を防止することができる方法に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水溶性高分子、酸化合物及び水を含有することを特徴とするフォトレジスト用オーバーコーティング組成物。

IPC (3件)：

G03F7/40 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/40 511 , G03F7/039 601 , H01L21/30 570

Fターム (20件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025FA17 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096GA08 , 2H096HA05 , 2H096LA30 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (8件)

ネガ型感光材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-267624 出願人：富士写真フイルム株式会社
共重合体樹脂とその製造方法、この共重合体樹脂を含むフォトレジスト、および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-365227 出願人：現代電子産業株式会社
特開昭63-106743

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