特許
J-GLOBAL ID：200903070496388996
半導体ウェーハ、その面取り面の加工方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-358387
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176824
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 ギャザーエッチングされたウェーハの外周部による発塵を防止する。ウェーハ外周部の強度を高める。その作業性を高める。【解決手段】 半導体ウェーハを重ね合わせた状態でエッチングを行う。半導体ウェーハの外周部のエッチング面と、隣り合わせの半導体ウェーハへの重ね合わせ面との境界線一帯に、隆起したうねり部分が現出する。このうねり部分にテープ面取りや、研磨用砥石による面取りを施し、うねり部分を除去する。ギャザーエッチング後のシリコンウェーハをチャックテーブルに吸着し、テーブルを回転する。ウェーハの表面側および裏面側の各うねり部分に、面取り用テープの研磨作用面を押し付ける。この結果、うねり部分が研磨、除去される。
請求項（抜粋）：
外周が面取りされた半導体ウェーハを複数枚重ね合わせ、これをエッチング液に接触させて、半導体ウェーハの外周部をエッチングする半導体ウェーハの面取り面の加工方法において、上記エッチングを施すことによって、半導体ウェーハの外周部のエッチング面と、隣り合う半導体ウェーハへの重ね合わせ面との境界線一帯に現れたうねり部分を、この半導体ウェーハの外周部に機械的な鏡面研磨を施すことで除去する半導体ウェーハの面取り面の加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 621
, H01L 21/306
, B24B 9/00 601
H01L 21/304 621 E
, B24B 9/00 601 H
, H01L 21/306 M
3C049AA04
, 3C049AA05
, 3C049CB01
, 5F043AA02
, 5F043BB01
, 5F043DD12
, 5F043EE01
, 5F043GG10
