特許

J-GLOBAL ID：200903070637294133

2次元フォトニック結晶光デバイスおよびその製造方法

発明者： 佐藤 明伸 ,  鈴木 晃子 ,  ブーレル エマニュエル ,  松尾 二郎 ,  瀬木 利夫 ,  青木 学聡
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (2件)： 草野 卓 ,  稲垣 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295054
公開番号（公開出願番号）：特開2005-062664
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 広帯域のバンドギャップがある2次元フォトニック結晶、偏光依存性がない2次元フォトニック結晶、高アスペクト比かつ高寸法精度の2次元フォトニック結晶、光導入部と2次元フォトニック結晶のアライメントの容易な2次元フォトニック結晶光デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 光透過性基板の表面に屈折率の低い空孔或いは屈折率の高い柱を2次元的にマトリクス状に周期配列形成した2次元フォトニック結晶光デバイスの製造方法において、空孔或いは柱を光透過性基板の表面にガスクラスターイオンビームを照射してエッチング形成する2次元フォトニック結晶光デバイスおよびその製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

光透過性基板の表面に屈折率の低い空孔或いは屈折率の高い柱を2次元的にマトリクス状に周期配列形成した2次元フォトニック結晶光デバイスの製造方法において、 空孔或いは柱を光透過性基板の表面にガスクラスターイオンビームを照射してエッチング形成することを特徴とする2次元フォトニック結晶光デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

G02B6/12 ,  G02B6/13

FI (3件)：

G02B6/12 Z ,  G02B6/12 N ,  G02B6/12 M

Fターム (6件)：

2H047KA03 ,  2H047PA02 ,  2H047PA22 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA43

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特許第3325825号 公報
  
• フォトニック結晶導波路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-246074   出願人：野田進, ティーディーケイ株式会社
• 2次元フォトニック結晶導波路、および波長分波器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-084869   出願人：関西ティー・エル・オー株式会社, ティーディーケイ株式会社
• 特許第3349950号 公報
  
• 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-039740   出願人：株式会社日立製作所
• ガスクラスターイオンビームによる薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-109817   出願人：科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社

審査官引用 (2件)

• ナノ構造薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-173822   出願人：日本電信電話株式会社
• ドライエツチング方法及びそのための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260376   出願人：株式会社東芝