窒化膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268068
公開番号（公開出願番号）：特開平11-217673
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】化学的気相成長法により窒化膜を製造する方法において、毒性が少なく、充分に高い蒸気圧を有し、比較的に低温度で分解する窒素源の原料ガスを開発し、薄膜の高品質化、成長温度の低温化、成長速度の向上が計れる窒化膜の製造方法を提供する。【解決手段】 tert-ブチルヒドラジンを窒素源の主成分として含む原料ガスと、有機金属化合物、金属ハロゲン化物、または金属水素化物の原料ガスとを反応させることにより基板上に窒化膜を製造する。またtert-ブチルヒドラジンを窒素源の主成分として含む原料ガスを用いて、金属または金属酸化物の基板の表面を窒化させて窒化膜を製造する。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法により窒化膜を製造する方法において、tert-ブチルヒドラジンを窒素源の主成分として含む原料ガスと、有機金属化合物、金属ハロゲン化物、または金属水素化物の原料ガスとを反応させることにより基板上に窒化膜を堆積させることを特徴とする窒化膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/318

FI (4件)：

C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/318 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-057690 出願人：ローム株式会社
窒化タングステン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-323696 出願人：株式会社日立製作所
特開昭59-137453

全件表示

前のページに戻る