特許
J-GLOBAL ID：200903070700715993

多結晶性半導体薄膜の形成方法、及び半導体装置の製造方法

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-105842
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299238
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 高結晶化率で高品質の多結晶性シリコン等の多結晶性半導体薄膜を容易かつ低コストに、しかも大面積に形成可能な方法を提供すること。【解決手段】 基体1上に高結晶化率、大粒径の多結晶性シリコン膜等の多結晶性半導体薄膜7を形成するに際し、或いは基体1上に多結晶性半導体薄膜7を有する半導体装置を製造するに際し、基体1上にシリコン又は/及びカーボン微粒子100Aを付着後、バイアス又は非バイアス触媒AHA処理でクリーニングし、このクリーニングされたシリコン又は/及びダイヤモンド構造カーボン等の超微粒子100B上にバイアス又は非バイアス触媒CVD法等により低級結晶性半導体薄膜7Aを形成し、これをレーザー照射又は強光照射又は電子線照射アニール処理して、超微粒子100Bをシードに多結晶性半導体薄膜を成長させることによって多結晶性半導体薄膜7を得る、多結晶性半導体薄膜の形成方法、又は半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基体上に多結晶性半導体薄膜を形成するに際し、前記基体上にシリコン、カーボン及びダイヤモンドの少なくとも1種からなる超微粒子を付着させる工程と、この超微粒子上に低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、この低級結晶性半導体薄膜をレーザー照射又は強光照射又は電子線照射でアニール処理して、前記超微粒子をシードに多結晶性半導体薄膜を成長させる工程とを経て前記多結晶性半導体薄膜を得る、多結晶性半導体薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 613 A
Fターム (104件)：
5F045AA03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE15 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045BB18 ,  5F045CA15 ,  5F045DA61 ,  5F045DP05 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA24 ,  5F052AA25 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA20 ,  5F052BB07 ,  5F052CA00 ,  5F052CA01 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052FA01 ,  5F052GA02 ,  5F052JA02 ,  5F052JA03 ,  5F052JA04 ,  5F052JA08 ,  5F052JA09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110DD30 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110NN13 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP08 ,  5F110PP36 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24
引用特許：
審査官引用 (6件)
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