特許

J-GLOBAL ID：200903070762978680

タングステン化合物および金属タングステン膜の製造方法

発明者： 酒井 達也 ,  米倉 勇 ,  横山 泰明 ,  松木 安生
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-375241
公開番号（公開出願番号）：特開2005-139090
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 良質の膜状の金属タングステンを安全なプロセスにより得ることができ、また空気中での取り扱いが容易な化学的気相成長のためのタングステン化合物およびそれを用いて金属タングステン膜を製造する方法を提供すること。【解決手段】 下記式(1) W(RCN)n(CO)6-n...(1) ここで、Rは炭素数1〜10の炭化水素基または炭素数1〜10のハロゲン化炭化水素基でありそしてnは0〜6の整数である。但し、nが2〜6の整数のとき、複数のRは互いに同一であっても異なっていてもよい。で表されるタングステン化合物およびこのタングステン化合物から化学的気相成長法により金属タングステン膜を製造する方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記式(1) W(RCN)n(CO)6-n...(1) ここで、Rは炭素数1〜10の炭化水素基または炭素数1〜10のハロゲン化炭化水素基でありそしてnは1〜6の整数である。但し、nが2〜6の整数のとき、複数のRは互いに同一であっても異なっていてもよい。 で表される化合物からなる、化学的気相成長のためのタングステン化合物。

IPC (2件)：

C07F11/00 ,  C23C16/18

FI (2件)：

C07F11/00 C ,  C23C16/18

Fターム (18件)：

4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB90 ,  4H050WB13 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA18 ,  4K030BA20 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 多層配線の構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-214110   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-280988   出願人：日本電気株式会社
• タングステンスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-369989   出願人：株式会社東芝
• 窒化チタン基体へのタングステンの化学蒸着
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-536635   出願人：トーキョーエレクトロンアリゾナインコーポレイテッド, 東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-129492
  
• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-122174   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

引用文献：

審査官引用 (5件)

• The synthesis of ring-substituted cycloheptatrienyl complexes [M(CO)3(η7-C7H6R)]+ (M = Cr, Mo or W;
• Photochemical preparation of pentacarbonylacetonitriletungsten and of tetracarbonyldiacetonitrilemol
• Catalyzed and uncatalyzed substitution reactions of tungsten carbonyl nitriles [W(CO)5(NCR)] (R = Me
• Kinetic and mechanistic investigations of reactions of transition-metal complexes. XXII. Competition
• Preparation and use of W(CO)3(NCR)3 (R = Et, Pr) as improved starting materials for syntheses of tri