特許
J-GLOBAL ID:200903070797064665

配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-127267
公開番号(公開出願番号):特開2009-277863
出願日: 2008年05月14日
公開日(公表日): 2009年11月26日
要約:
【課題】配線幅を広げることなく配線抵抗を容易且つ選択的に小さくでき、製造効率の低下が抑制される配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁層2に溝部を形成する溝部形成工程S102と、絶縁層2の表面に導体からなる導体層3を密着形成する導体層形成工程S103と、エッチングにより導体層3から配線回路6を形成する回路形成工程S104と、を備える配線基板の製造方法であって、溝部形成工程S102は、絶縁層2で配線回路6が形成される領域Zのうち配線回路6から所定の選択された選択配線部分61が形成される選択領域Z1に、選択配線部分61の延伸方向に沿って延伸する溝部5をレーザーにより形成することを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁層に溝部を形成する溝部形成工程と、前記絶縁層の表面に導体からなる導体層を密着形成する導体層形成工程と、エッチングにより前記導体層から配線回路を形成する回路形成工程と、を備える配線基板の製造方法であって、 前記溝部形成工程は、前記絶縁層で前記配線回路が形成される領域のうち前記配線回路から所定の選択された選択配線部分が形成される選択領域に、前記選択配線部分の延伸方向に沿って延伸する溝部をレーザーにより形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/10 ,  H05K 3/00
FI (2件):
H05K3/10 E ,  H05K3/00 N
Fターム (9件):
5E343BB01 ,  5E343BB24 ,  5E343BB62 ,  5E343BB67 ,  5E343DD32 ,  5E343EE33 ,  5E343FF16 ,  5E343FF30 ,  5E343GG13
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 実開平6-50376号公報
審査官引用 (7件)
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