特許
J-GLOBAL ID:200903070861740360

多層回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-026870
公開番号(公開出願番号):特開2001-217553
出願日: 2000年02月03日
公開日(公表日): 2001年08月10日
要約:
【要約】【課題】 電気絶縁層と導電体層との密着性が高く、且つパターニング性に優れた多層回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層の表面を、1)過マンガン酸塩又はプラズマと接触させ、次いで乾式メッキすることによって、2)乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メッキすることによって、3)乾式メッキを複数回繰り返した後、湿式メッキをすることによって、又は4)メッキした後、アニーリングすることによって導電体層を形成することを含む多層回路基板の製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層の表面を過マンガン酸塩又はプラズマと接触させ、次いで 乾式メッキして導電体層を形成することを含む多層回路基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/14
FI (2件):
H05K 3/46 T ,  H05K 3/14
Fターム (24件):
5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB38 ,  5E343BB44 ,  5E343CC48 ,  5E343CC61 ,  5E343DD22 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE36 ,  5E343ER32 ,  5E343GG02 ,  5E343GG08 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC60 ,  5E346DD15 ,  5E346DD17 ,  5E346DD22 ,  5E346GG09 ,  5E346GG17 ,  5E346HH31
引用特許:
審査官引用 (6件)
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