特許

J-GLOBAL ID：200903070919518689

ショットキーデバイス

発明者： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  清水 尚博
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078644
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282863
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】リーク電流を低減して実用に供することのできるショットキーデバイスを提供できるとともに、ブレイクダウン電圧の絶対値の増大に起因して大電流大容量タイプのショットキーデバイスを提供する。【解決手段】基板1上に、転位密度1011/cm2以下、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅90秒以下の、Alを含む窒化物からなる下地層2をエピタキシャル成長させ、この下地層2上に、転位密度1010/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が150秒以下の、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む窒化物からなる導電層3をエピタキシャル成長させる。そして、導電層3上にAl/Niからなるショットキー電極4を設けるとともに、Al/Tiからなるオーミック電極5を設ける。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上にエピタキシャル成長されたAlを含み、転位密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が100秒以下である第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上にエピタキシャル成長されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含み、転位密度が1010/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が200秒以下である第2の窒化物半導体からなる導電層とを実質的に具えることを特徴とする、ショットキーデバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/47 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 P

Fターム (14件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CB02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭61-091977
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196749   出願人：日本電気株式会社
• シヨットキバリアダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-248737   出願人：サンケン電気株式会社
• MSM型半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-209061   出願人：株式会社パウデック

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-091977
  
• 特開昭61-091977
  
• 特開昭61-091977